Краткий FAQ от AMD по 45-нм процессорам

Вероятно, предупреждая появление всевозможных вопросов среди поклонников продукции AMD после демонстрации рабочих образцов чипов Shanghai и Deneb, компания решила создать небольшой своеобразный FAQ по своей 45-нм производственной технологии. Приведём ответы на ключевые вопросы, волнующие потребителей и всех, кто не равнодушен к развитию процессорной индустрии.

Q1: Когда AMD представит свои 45-нм процессоры?

A1: Компания планирует начать производство в малых количествах первых 45-нм процессоров в первой половине года, а поставки серийных чипов стартуют во второй половине 2008 года.

Q2: Какие продукты будут первыми, выпущенными по 45-нм техпроцессу?

A2: Первыми 45-нм процессорами AMD станут четырехъядерные чипы с кодовыми именами Shanghai (для серверных систем) и Deneb (для настольных ПК).

Q3: Какие технологические усовершенствования внедрит AMD при переходе на 45-нм нормы?

A3: В рамках перехода на 45-нм техпроцесс AMD внедрит новые субмикронные технологии, а также усовершенствует существующие. Улучшения касаются главным образом структуры транзисторов, схем межсоединений и направлены на повышение соотношения «производительность на ватт», а также на устранение проблем, связанных с уменьшением размеров транзисторов.

Среди ключевых инноваций нового техпроцесса отмечаются:

Иммерсионная литография. Благодаря сотрудничеству с IBM, компания AMD применила иммерсионную литографию, что позволило увеличить разрешение на 40% по сравнению с традиционными литографическими методами при сопоставимом уровне затрат.
Технология напряженного кремния четвертого поколения. В рамках перехода на 45-нм нормы AMD задействует обновленную технологию напряженного кремния, предусматривающую нанесения слоя кремниево-германиевого (SiGe), а также применение методик Dual-Stress Liner (использует оба типа так называемого «напряжения кремния») и Strain Memorization (предполагает нанесение слоя нитрида кремния), что позволит повысить скорость переключения транзисторов и энергоэффективность.
Диэлектрики Ultra-low-k. Данная технология появится позже и не будет внедрена в первом поколени 45-нм продуктов. В рамках технологии предполагается использование диэлектриков со сверхнизким значением диэлектрической проницаемости, что позволит уменьшить задержки прохождения сигналов в межсоединениях чипов на 15% и увеличить в целом быстродействие процессоров.
High-k/metal gates. В рамках подхода, называемого компанией AMD Continuous Transistor Improvement (CTI), предполагается внедрение новых high-k диэлектриков и металлических затворов, что позволит обеспечить дальнейший рост производительности транзисторов. Как и диэлектрики Ultra-low-k, новая технология «high-k/metal gates» будет внедрена не сразу, а в следующих поколениях 45-нм продукции. Такой поэтапный подход компании AMD и IBM называют «gate first approach».и считают, что он позволит обеспечить более простой и оперативный переход к использованию металлических затворов и high-k диэлектриков.

Большая часть приведенной выше информации уже появлялась в нашей новостной ленте, а также на зарубежных интернет-ресурсах, но, надеемся, для тех, кто не имеет возможности постоянно следить за новостями, этот небольшой FAQ окажется полезным.