Компании IBM и Hitachi заключили соглашение о совместной разработке новых технологий по производству микросхем с целью ускорить развитие полупроводниковой отрасли.

Совместная деятельность, которая продлится в течение двух лет, затронет разработку 32-нм технологии. Компании совместно планируют создать новые методы анализа и измерения характеристик полупроводниковых чипов для того, чтобы уменьшить размеры и улучшить характеристики транзисторов, а также лучше понять физику протекающих в них процессов. Инженеры обеих компаний, а также сотрудники филиала Hitachi, Hitachi High-Technologies, будут проводить совместные исследования в трех центрах, один из которых расположен в Йорктаун Хейтс, штат Нью-Йорк.

IBM и Hitachi впервые будут сотрудничать в области чипов. До этого их совместная деятельность касалась серверов и других корпоративных продуктов. Компании также планируют рассмотреть возможность разработки транзисторов с топологическим уровнем 22 нм.

По словам вице-президента IBM Systems & Technology Group Берни Мейерсона (Bernie Meyerson), благодаря совместной деятельности, объединяющей опыт Hitachi в области изготовления полупроводников и знания IBM в области CMOS-технологии, компаниям удастся ускорить переход на 32-нм уровень, снизив при этом количество затрат.

Напомним, что в конце 2007 г. IBM уже объявлял о формировании другого альянса IBM Common Platform. В него вошли компании AMD, Chartered, Freescale, Infineon, Samsung, Sony, Toshiba и STMicroelectronics. Цель альянса - также разработка чипов с использованием 32-нм технологического процесса.

IBM вступила в альянс с Hitachi с целью создать 32-нм технологический процесс изготовления чипов

Современные чипы изготавливаются на базе 45-нм технологии. В частности компания Intel уже выпустила процессоры с данной технологической нормой. AMD будет готова к выпуску аналогичных микросхем во II половине 2008 г.

К массовому производству 32-нм процессоров, как ожидается, Intel будет готова к 2010 г., а 22-нм - к 2011 г. В AMD более осторожны с прогнозами. Недавно чипмейкер совместно с IBM изготовил образец микросхемы, в которой первый слой металлических соединений целиком создан с помощью EUV-литографии. В AMD полагают, что благодаря данной технологии индустрия сможет перейти к 22-нм технологическим нормам в 2016 г.

http://www.rambler.ru/news/it/0/12347496.html

Как я и говорил. Первой делает Интел потом АМД )))