Intel совместно с STMicroelectronics приступила к поставкам пробных образцов первой в мире фазовой памяти. Устройство под названием Alverstone выполнено на базе 90-нм технологического процесса и вмещает 16 МБ информации. Выпуск фазовой памяти считается самым важным прорывом за последние 40 лет.
Корпорация Intel совместно с STMicroelectronics приступила к поставкам пробных образцов первой в мире фазовой памяти. Устройство Alverstone с топологическим уровнем 90 нм вмещает 128 Мбит (16 МБ) информации и предназначено для конечных потребителей, которые уже сейчас смогут оценить преимущества новой технологии. По данным производителя, фазовая память (Phase Change Memory, PCM) предлагает высокие скорости чтения и записи данных, потребляя меньшее количество энергии по сравнению с современной флэш-памятью.
Впервые технология была описана одним из основателей Intel, Гордоном Муром (Gordon Moore), в 1970 г. в журнале Electronics. Впоследствии аналитики сделали весьма оптимистичный прогноз, заявив о том, что первая такая память появится уже в 2003 г.
В 2004 г. компания Intel продемонстрировала образец фазовой памяти емкостью 8 Мбит с использованием топологии 180 нм. Прототип Alverstone емкостью 128 Мбит, выполненный на базе 90-нм техпроцесса, был представлен двумя годами позже, а в апреле 2007 г. компания заявила, что намерена приступить к выпуску такой памяти в течение ближайших трех месяцев.
«Это самый яркий прорыв за последние 40 лет, — подчеркивает Эд Доллер (Ed Doller) из компании Numonyx, основанной Intel и STMicroelectronics в мае прошлого года. — Была сделана масса попыток создать новую память, информация в которой не будет зависеть от электропитания. В этом плане PCM — самое оптимальное решение. Intel и STMicroelectronics предлагают такую память уже сейчас, сегодня. Это огромный шаг как для всей индустрии в целом, так и для наших компаний».
По словам экспертов, стоимость PCM будет падать быстрее, чем падает стоимость флэш-памяти. Со временем фазовая память будет использоваться в сотовых телефонах, цифровых камерах, MP3-плеерах, компьютерах и другом высокотехнологичном оборудовании. Широкое проникновение фазовой памяти — одна из основных задач, которая стоит сегодня перед ее создателями.
Компании Intel и STMicroelectronics не единственные, кто занимаются разработкой подобных технологий. В конце 2006 г. о создании памяти, основанной на фазовом состоянии вещества, объявили IBM, Macronix и Qimonda. Однако их разработка теряла надежность уже после 100 тыс. циклов. В сентябре прошлого года об изобретении фазовой памяти в 1000 раз быстрее флэш заявили ученые из Университета Пенсильвании.
На днях Intel объявила о том, что нашла способ удвоить емкость фазовой памяти без увеличения числа ячеек.
